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IPB70N10S3-12
- Modello di prodotti:
- IPB70N10S3-12
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13152 Pieces
- Scheda dati:
- IPB70N10S3-12.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.3 mOhm @ 70A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB70N10S3-12-ND IPB70N10S3-12INTR IPB70N10S312 IPB70N10S312ATMA1 SP000261246 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB70N10S3-12 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4355pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB70N10S3-12
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO613SPV | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO | Inchiesta |
 |
IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB70N10SL16ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | Inchiesta |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Inchiesta |
 |
FDC3535 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT | Inchiesta |
|
IPB70N12S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Inchiesta |
|
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | Inchiesta |
 |
NTD95N02RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK | Inchiesta |
|
IRF634STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | Inchiesta |
 |
BUK962R8-30B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Inchiesta |
|
IRF3709ZSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB70P04P409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Inchiesta |
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