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FQE10N20LCTU
- Modello di prodotti:
- FQE10N20LCTU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18981 Pieces
- Scheda dati:
- FQE10N20LCTU.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-126 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 12.8W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-225AA, TO-126-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQE10N20LCTU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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