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FQB19N20CTM
- Modello di prodotti:
- FQB19N20CTM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14355 Pieces
- Scheda dati:
- FQB19N20CTM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB19N20CTM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB19N20CTM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | FQB19N20CTMDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 9 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQB19N20CTM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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