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FQB11P06TM
- Modello di prodotti:
- FQB11P06TM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16663 Pieces
- Scheda dati:
- FQB11P06TM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB11P06TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB11P06TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 175 mOhm @ 5.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 53W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | FQB11P06TMDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 9 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQB11P06TM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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