FQAF47P06
Modello di prodotti:
FQAF47P06
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16976 Pieces
Scheda dati:
FQAF47P06.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PF
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SC-94
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQAF47P06
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 38A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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