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FQA17P10
- Modello di prodotti:
- FQA17P10
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13372 Pieces
- Scheda dati:
- FQA17P10.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA17P10, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA17P10 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 120W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA17P10 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 18A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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