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FQA10N80C
- Modello di prodotti:
- FQA10N80C
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12155 Pieces
- Scheda dati:
- FQA10N80C.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQA10N80C, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQA10N80C via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 240W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQA10N80C |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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