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FQN1N60CBU
- Modello di prodotti:
- FQN1N60CBU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14543 Pieces
- Scheda dati:
- FQN1N60CBU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQN1N60CBU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQN1N60CBU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.5 Ohm @ 150mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta), 3W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQN1N60CBU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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