FDZ299P
Modello di prodotti:
FDZ299P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13058 Pieces
Scheda dati:
FDZ299P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:9-BGA
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.7W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:9-WFBGA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDZ299P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:742pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

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