FDT55AN06LA0
Modello di prodotti:
FDT55AN06LA0
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17239 Pieces
Scheda dati:
1.FDT55AN06LA0.pdf2.FDT55AN06LA0.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223-4
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:46 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):8.9W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:FDT55AN06LA0TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDT55AN06LA0
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1130pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12.1A (Tc)
Email:[email protected]

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