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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > MMIX1T550N055T2
MMIX1T550N055T2
Modello di prodotti:
MMIX1T550N055T2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17525 Pieces
Scheda dati:
MMIX1T550N055T2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:24-SMPD
Serie:FRFET®, SupreMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):830W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:24-PowerSMD, 21 Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:MMIX1T550N055T2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:595nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 550A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:550A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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