FDS3812
FDS3812
Modello di prodotti:
FDS3812
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12874 Pieces
Scheda dati:
FDS3812.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:74 mOhm @ 3.4A, 10V
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDS3812
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:634pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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