FDP8030L
Modello di prodotti:
FDP8030L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19227 Pieces
Scheda dati:
1.FDP8030L.pdf2.FDP8030L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):187W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FDP8030L-ND
FDP8030LFS
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:9 Weeks
codice articolo del costruttore:FDP8030L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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