NTD30N02G
NTD30N02G
Modello di prodotti:
NTD30N02G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15818 Pieces
Scheda dati:
NTD30N02G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tj)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTD30N02G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK-3
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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