FDP6670AL
Modello di prodotti:
FDP6670AL
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14758 Pieces
Scheda dati:
1.FDP6670AL.pdf2.FDP6670AL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP6670AL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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