FDP5645
Modello di prodotti:
FDP5645
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16598 Pieces
Scheda dati:
1.FDP5645.pdf2.FDP5645.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:9.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP5645
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4468pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 80A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Ta)
Email:[email protected]

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