Acquistare PMV213SN,215 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-236AB (SOT23) |
Serie: | TrenchMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 250 mOhm @ 500mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 280mW (Tj) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Altri nomi: | 1727-6294-2 568-8112-2 568-8112-2-ND 934057521215 PMV213SN T/R PMV213SN T/R-ND PMV213SN,215-ND PMV213SN215 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
codice articolo del costruttore: | PMV213SN,215 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 20V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |