FDP22N50N
Modello di prodotti:
FDP22N50N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16843 Pieces
Scheda dati:
1.FDP22N50N.pdf2.FDP22N50N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):312.5W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:FDP22N50N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 22A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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