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FDFME2P823ZT
- Modello di prodotti:
- FDFME2P823ZT
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13519 Pieces
- Scheda dati:
- FDFME2P823ZT.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.4W (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | FDFME2P823ZTDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDFME2P823ZT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 405pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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