FQPF18N20V2YDTU
FQPF18N20V2YDTU
Modello di prodotti:
FQPF18N20V2YDTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19805 Pieces
Scheda dati:
FQPF18N20V2YDTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3 (Y-Forming)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:140 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQPF18N20V2YDTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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