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FDD3510H
- Modello di prodotti:
- FDD3510H
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17672 Pieces
- Scheda dati:
- FDD3510H.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDD3510H, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDD3510H via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252-4L |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 80 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.3W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Altri nomi: | FDD3510HTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDD3510H |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 800pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
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