VQ2001P-2
Modello di prodotti:
VQ2001P-2
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15301 Pieces
Scheda dati:
VQ2001P-2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:14-DIP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 1A, 12V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:14-DIP
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:VQ2001P-2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:4 P-Channel
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W Through Hole 14-DIP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600mA
Email:[email protected]

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