FDC645N
FDC645N
Modello di prodotti:
FDC645N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13843 Pieces
Scheda dati:
FDC645N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:FDC645N-ND
FDC645NTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:FDC645N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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