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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19532KTTT
CSD19532KTTT
Modello di prodotti:
CSD19532KTTT
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14427 Pieces
Scheda dati:
CSD19532KTTT.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.6 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:296-43211-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD19532KTTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5060pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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