FDB6690S
FDB6690S
Modello di prodotti:
FDB6690S
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12553 Pieces
Scheda dati:
FDB6690S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®, SyncFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:15.5 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max):48W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDB6690S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1238pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 42A (Ta) 48W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:42A (Ta)
Email:[email protected]

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