NTF2955T1G
NTF2955T1G
Modello di prodotti:
NTF2955T1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19675 Pieces
Scheda dati:
NTF2955T1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:185 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:NTF2955T1GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:30 Weeks
codice articolo del costruttore:NTF2955T1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:492pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 1.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

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