FCP220N80
Modello di prodotti:
FCP220N80
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 23A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16935 Pieces
Scheda dati:
FCP220N80.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 2.3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:220 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):278W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:37 Weeks
codice articolo del costruttore:FCP220N80
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4560pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 23A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 23A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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