AOD2N100
AOD2N100
Modello di prodotti:
AOD2N100
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12383 Pieces
Scheda dati:
1.AOD2N100.pdf2.AOD2N100.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOD2N100
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 2A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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