FCD2250N80Z
FCD2250N80Z
Modello di prodotti:
FCD2250N80Z
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19348 Pieces
Scheda dati:
FCD2250N80Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 260µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FCD2250N80ZTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FCD2250N80Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Tc)
Email:[email protected]

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