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TK4R3E06PL,S1X
- Modello di prodotti:
- TK4R3E06PL,S1X
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14552 Pieces
- Scheda dati:
- TK4R3E06PL,S1X.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 87W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | TK4R3E06PL,S1X(S TK4R3E06PLS1X |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK4R3E06PL,S1X |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3280pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 80A 87W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TK4R3E06PL,S1X
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