ECH8619-TL-E
ECH8619-TL-E
Modello di prodotti:
ECH8619-TL-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18270 Pieces
Scheda dati:
ECH8619-TL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:8-ECH
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:93 mOhm @ 1.5A, 10V
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:869-1156-2
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ECH8619-TL-E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.8nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A, 2A
Email:[email protected]

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