ECH8601M-C-TL-H
ECH8601M-C-TL-H
Modello di prodotti:
ECH8601M-C-TL-H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18958 Pieces
Scheda dati:
ECH8601M-C-TL-H.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:8-ECH
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:23 mOhm @ 4A, 4.5V
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ECH8601M-C-TL-H
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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