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CXDM1002N TR
- Modello di prodotti:
- CXDM1002N TR
- fabbricante:
- Central Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17117 Pieces
- Scheda dati:
- CXDM1002N TR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per CXDM1002N TR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per CXDM1002N TR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-89 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.2W (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-243AA |
| Altri nomi: | CXDM1002N DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CXDM1002N TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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