CSD87334Q3DT
Modello di prodotti:
CSD87334Q3DT
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15631 Pieces
Scheda dati:
CSD87334Q3DT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:6 mOhm @ 12A, 8V
Potenza - Max:6W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-42468-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:25 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD87334Q3DT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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