CSD87312Q3E
Modello di prodotti:
CSD87312Q3E
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15436 Pieces
Scheda dati:
CSD87312Q3E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 7A , 8V
Potenza - Max:2.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-35526-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD87312Q3E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27A
Email:[email protected]

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