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C3M0075120K
- Modello di prodotti:
- C3M0075120K
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19309 Pieces
- Scheda dati:
- C3M0075120K.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 119W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-4 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | C3M0075120K |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 30.8A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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