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C3M0065090J
- Modello di prodotti:
- C3M0065090J
- fabbricante:
- Cree
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12144 Pieces
- Scheda dati:
- C3M0065090J.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +19V, -8V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK (7-Lead) |
| Serie: | C3M™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 113W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | C3M0065090J |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 600V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per C3M0065090J
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0065100J | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Inchiesta |
 |
C3M0065090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 | Inchiesta |
 |
C3M0075120K | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4 | Inchiesta |
 |
C3M0065100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET | Inchiesta |
 |
C3M0065090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 | Inchiesta |
 |
AO7410 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 | Inchiesta |
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