BSH111,235
BSH111,235
Modello di prodotti:
BSH111,235
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15146 Pieces
Scheda dati:
BSH111,235.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-236AB (SOT23)
Serie:TrenchMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):830mW (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:934056036235
BSH111 /T3
BSH111 /T3-ND
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSH111,235
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:335mA (Ta)
Email:[email protected]

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