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BS170RLRAG
- Modello di prodotti:
- BS170RLRAG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19206 Pieces
- Scheda dati:
- BS170RLRAG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BS170RLRAG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BS170RLRAG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 350mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | BS170RLRAGOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BS170RLRAG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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