Acquistare APT94N65B2C6 con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 3.5mA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V | 
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] | 
| Serie: | - | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 35.2A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 833W (Tc) | 
| imballaggio: | Bulk | 
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Through Hole | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks | 
| codice articolo del costruttore: | APT94N65B2C6 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8140pF @ 25V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 320nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | Super Junction | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] | 
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 95A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |