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APT102GA60B2
- Modello di prodotti:
- APT102GA60B2
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 183A 780W TO247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19541 Pieces
- Scheda dati:
- APT102GA60B2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 62A |
| Condizione di test: | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 28ns/212ns |
| di scambio energetico: | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 780W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT102GA60B2 |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 294nC |
| Descrizione espansione: | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole |
| Descrizione: | IGBT 600V 183A 780W TO247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 307A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 183A |
| Email: | [email protected] |
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