Acquistare APT10M09B2VFRG con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 625W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT10M09B2VFRG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |