AOI1N60
AOI1N60
Modello di prodotti:
AOI1N60
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15808 Pieces
Scheda dati:
1.AOI1N60.pdf2.AOI1N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251A
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOI1N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A (Tc)
Email:[email protected]

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