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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19506KCS
CSD19506KCS
Modello di prodotti:
CSD19506KCS
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17083 Pieces
Scheda dati:
CSD19506KCS.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:296-37169-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD19506KCS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12200pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:156nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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