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AFT27S010NT1
- Modello di prodotti:
- AFT27S010NT1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16615 Pieces
- Scheda dati:
- AFT27S010NT1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLD-1.5W-2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 1.26W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | PLD-1.5W-2 |
| Altri nomi: | AFT27S010NT1DKR |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AFT27S010NT1 |
| Guadagno: | 21.7dB |
| Frequenza: | 2.17GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 90mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W-2 |
| Descrizione: | FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 90mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AFT27S010NT1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT27S006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | Inchiesta |
 |
PTF080101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | Inchiesta |
 |
BLF4G10-160,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | Inchiesta |
 |
STAC4933 | STMicroelectronics | MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B | Inchiesta |
 |
MRFE6VP5150GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW | Inchiesta |
 |
MMRF1016HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 225MHZ | Inchiesta |
 |
SD57060-10 | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ M243 | Inchiesta |
 |
PTFB182557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRF6S9160HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | Inchiesta |
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