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AFT27S006NT1
- Modello di prodotti:
- AFT27S006NT1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18379 Pieces
- Scheda dati:
- AFT27S006NT1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLD-1.5W-2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 28.8dBm |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | PLD-1.5W-2 |
| Altri nomi: | AFT27S006NT1DKR |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AFT27S006NT1 |
| Guadagno: | 22dB |
| Frequenza: | 2.17GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 70mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W-2 |
| Descrizione: | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 70mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AFT27S006NT1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT27S010NT1 | NXP USA Inc. | FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W | Inchiesta |
 |
BSS83,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B | Inchiesta |
 |
MRF5S9070NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | Inchiesta |
 |
MRF6S24140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | Inchiesta |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | Inchiesta |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | Inchiesta |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | Inchiesta |
 |
BLF7G21L-160P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Inchiesta |
 |
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | Inchiesta |
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