5LN01SP
5LN01SP
Modello di prodotti:
5LN01SP
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14608 Pieces
Scheda dati:
5LN01SP.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:3-SPA
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):250mW (Ta)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SC-72
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:5LN01SP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6.6pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.57nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Through Hole 3-SPA
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET N-CH 50V 0.1A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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