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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
Modello di prodotti:
IXTT3N200P3HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17890 Pieces
Scheda dati:
IXTT3N200P3HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):520W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTT3N200P3HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):2000V (2kV)
Descrizione:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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