Acquistare 2N7638-GA con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-276 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 8A |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-276AA |
| Altri nomi: | 1242-1149 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 2N7638-GA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 35V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 650V 8A (Tc) (158°C) 200W (Tc) Surface Mount TO-276 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | TRANS SJT 650V 8A TO276 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) (158°C) |
| Email: | [email protected] |