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2N7635-GA
- Modello di prodotti:
- 2N7635-GA
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS SJT 650V 4A TO-257
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17287 Pieces
- Scheda dati:
- 2N7635-GA.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 2N7635-GA, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 2N7635-GA via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-257 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 415 mOhm @ 4A |
| Dissipazione di potenza (max): | 47W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-257-3 |
| Altri nomi: | 1242-1146 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 2N7635-GA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | - |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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